2025年电气工程师《供配电专业》考试共题，分为。小编为您整理历年真题10道，附答案解析，供您考前自测提升！

1、图示冲床的冲压力F=300πkN，钢板的厚度t =10mm，钢板的剪切强度极限τb=300MPa。冲床在钢板上可冲圆孔的最大直径d是（）。 【单选题】

A.d=200mm

B.d=100mm

C.d=4000mm

D.d=1000mm

正确答案:B

答案解析:圆孔钢板冲断时的剪切面是一个圆柱面，其面积为πdt，冲断条件是。

2、电路如图所示为独立电压源，若外电路不变，仅电阻R变化时，将会引起下述哪种变化？ （）【单选题】

A.端电压U的变化

B.输出电流I的变化

C.电阻R支路电流的变化

D.上述三漪同时变化

正确答案:C

答案解析:注意理想电压源和实际电压源的区别，该题是理想电压源Us=U。

3、梁ABC的弯矩如图所示，根据梁的弯矩图，若该梁为悬臂梁，可以断定该梁B点处（）。【单选题】

A.无外载荷

B.只有集中力偶

C.只有集中力

D.有集中力和集中力偶

正确答案:D

答案解析:若此题未说明梁的类型，有两种可能（见解图)，简支梁时答案为B，悬臂梁时答案为D。题干中说明该梁悬臂梁，则答案为D。

4、在图a)电路中有电流I时，可将图a)等效为图b)，其中等效电压源电动势Es和等效电源内阻R0分别为（）。【单选题】

A.-1V，5.143Ω

B.1V，5Ω

C.-1V，5Ω

D.1V，5.143Ω

正确答案:B

答案解析:利用等效电压源定理判断。在求等效电压源电动势时，将A、B两点开路后，电压源的两上方电阻和两下方电阻均为串联连接方式。

5、操作系统中采用虚拟存储技术，实际上是为实现（）。【单选题】

A.在一个较小内存储空间上，运行一个较小的程序

B.在一个较小内存储空间上，运行一个较大的程序

C.在一个较大内存储空间上，运行一个较小的程序

D.在一个较大内存储空间上，运行一个较大的程序

正确答案:B

答案解析:操作系统中采用虚拟存储技术是为了给用户提供更大的随机存取空间而采用的一种存储技术，它将内存与外存结合使用，好像有一个容量极大的内存储器，工作速度接近于主存，在整机形成多层次存储系统。

6、若D是由y=x，x=1，y=0，围成的三角形区域，则二重积分在极坐标系下的二次积分是（）。【单选题】

A.

B.

C.

D.

正确答案:B

答案解析:，因为x=1，rcosθ=1（即）， 等式=。

7、《合同法》规定的合同形式中不包括（）。【单选题】

A.书面形式

B.口头形式

C.特定形式

D.其他形式

正确答案:C

答案解析:《中华人民共和国合同法》第十条规定，当事人订立合同有书面形式、口头形式和其他形式。

8、在HF、HCl、HBr、HI中，按熔、沸点由高到低顺序排列正确的是（）。【单选题】

A.HF、HCl、HBr、HI

B.HI、HBr、HCl、HF

C.HCl、HBr、HI、HF

D.HF、HI、HBr、HCl

正确答案:D

答案解析:分子间力包括色散力、诱导力、取向力。分子间力以色散力为主。对同类型分子，色散力正比于分子量，所以分子间力正比于分子量。 分子间力主要影响物质的熔点、沸点和硬度。对同类型分子，分子位越大，色散力越大，分子间力越大，物质的熔、沸点越高，硬度越大。 分子间氢键使物质熔、沸点升高，分子内氢键使物质熔、沸点减低。HF有分子间氢键，沸点最大。其他三个没有分子间氢键，HCl、HBr、HI分子量逐渐增大，分子间力逐渐增大，沸点这渐增大。 

9、图示为共发射极单管电压放大电路，估算静态点、分别为（）。【单选题】

A.57μA，2.8mA，3. 5V

B.57μA，2.8mA，8V

C.57μA，4mA，0V

D.30μA，2.8mA，3. 5V

正确答案:A

答案解析:根据等效的直流通道计算，在直流等效电路中电容断路。

10、按连续介质概念，流体质点是（）。【单选题】

A.几何的点

B.流体的分子

C.流体内的固体颗粒

D.几何尺寸在宏观上同流动特征尺度相比是微小量，又含有大量分子的微元体

正确答案:D

答案解析:由连续介质假设可知。