2023年电气工程师《供配电专业》考试共题，分为。小编为您整理精选模拟习题10道，附答案解析，供您考前自测提升！

1、—台三相绕线式感应电动机，额定频率，额定转速，当定子接到额定电压，转子不转且开路时的每相感应电动势为110V ,那么电动机在额定运行时转子每相感应电势为（）V。【单选题】

A.0

B.2.2

C.38.13

D.110

正确答案:B

答案解析:由题意知电动机的额度转速=980r/min略小于同步转速,当转子绕组开路时转子中因无电流而静止,转子相对于旋转磁场转速为同步转速，产生110V感应电势，当额定运行时，相对转速为1000-980=20r/min ,额定转差率为：，则折算后转子侧的每相感应电动势为：。

2、在图示正弦稳态电路中，若，则消耗的平均功率P为（）。【单选题】

A.80W

B.85W

C.90W

D.100W

正确答案:A

答案解析:由电路图可知，，，则ZL消耗的平均功率为：。

3、以点电荷Q所在点为球心，距点电荷Q的距离R处的电场强度E=（）。【单选题】

A.

B.

C.

D.Q/4πR

正确答案:A

答案解析:根据高斯定理，静电场对任意封闭曲面的电通量只决定于被包围在该曲面内部的电量，，计算得：。

4、在R=9kΩ，L=9H，C=1μF三个元件串联的电路中，电路的暂态属于下列哪种类型（）。【单选题】

A.振荡

B.非振荡

C.临界振荡

D.不能确定

正确答案:B

答案解析:已知二阶电路的状态响应分为三种情况：①当时，过阻尼情况，为非振荡放电过程；②当时，欠阻尼情况，为振荡过程；③当时，为临界阻尼过程。将本题给出的数据代入得：，此电路的暂态响应属于非振荡放电过程。

5、 要用256×4的RAM扩展成4K×8RAM，需选用此种256×4RAM的片数为（）。【单选题】

A.8

B.16

C.32

D.64

正确答案:C

答案解析:4K×8RAM表示8片的随机读写存储器，每片的可存储的容量为4×1024B，选用的256×4的可存储数据容量为1024B，因此扩展时保证数据存储的总容量大小不变，那么就有8×4×1024B=1024B×n，n=32,即需用256×4RAM的数量为32片。

6、图示1-2-46电路的戴维南等效电路参数为下列哪项数值？（　　）【单选题】

A.35V

B.15V

C.3V

D.9V

正确答案:B

答案解析:根据戴维南等效定理，等效电路中的参数uS为端口的开路电压。将网路负载端开路，流过5Ω电阻的电流为：5-2=3A，故：US=（5A-2A）×5Ω=15V。

7、发电机和变压器归算至的电抗标么值标在图中，试计算图示网络中f点发生BC两相短路时，短路点的短路电流及发电机母线B相电压分别为（ ）。 (变压器连接组YNd11) 【单选题】

A.0.945kA 10.5kV

B.0.526kA 6.06kV

C.0.945kA 5.25kV

D.1.637kA 10.5kV

正确答案:C

答案解析:系统的正序、负序阻抗为：，f点a相电流的各序分量为：，f点的短路电淀J示幺值为：，已知电流墓准值为： ，则短路电流有名值为：，f点a相电压的各序分量为：，，则变压器低压侧b相电压为：。

8、在一个圆柱形电容器中，置有两层同轴的绝缘体，其内导体的半径为3cm，外导体的内半径为12cm，内、外两绝缘层的厚度分别为3cm和6cm，内、外导体间的电压为270V（以外导体为电位参考点）。设有一很薄的金属圆柱片放在两层绝缘体之间，为了使两绝缘体内的最大场强相等，金属圆柱片的电位为（）。【单选题】

A.60V

B.90V

C.150V

D.180V

正确答案:D

答案解析:如图所示，设内层介质介电常数为，外层介质介电常数为，圆柱导体单位长度的电荷量为τ，电介质中电场强度的最大值出现在内导体表面上，所以内层介质最大场强出现在半径为3cm处，外层介质最大场强出现在半径为6cm处。则有：E=，由此可知，。所以：内外导体电位差为：，金属圆柱片的电位为：。

9、a为旋转因子，则等于( )。【单选题】

A.-1

B.0

C.1

D.2

正确答案:A

答案解析:根据对称分量法，任何一组不对称的三相相量都可以分解为三组对称的三相相量,a是对称分量中的旋转因子，

10、要扩展8k×8RAM，需用512×4的RAM的数量为（）。【单选题】

A.8片

B.16片

C.32片

D.64片

正确答案:C

答案解析:8k×8RAM表示8片的随机读写存储器，每片的可存储的容量为8×1024B，每片512×4的RAM可存储数据容量为2048B，因此扩展时保证数据存储的总容量大小不变，那么就有8×1024×8=2048×n，n=32，即需用512×4的RAM的数量为32片。