- 单选题在某放大电路中,测得三极管各电极对“地”的电压分别为6V/9.8V/10V,由此可判断该三极管为()。
- A 、NPN硅管
- B 、NPN锗管
- C 、PNP硅管
- D 、PNP锗管

扫码下载亿题库
精准题库快速提分

【正确答案:D】
晶体管工作于放大状态的外部条件是:发射结正偏,集电结反偏。
三个电极的电位关系为:若为NPN管,
;若为PNP管,
。


正向压降:NPN型硅管为+(0.6~0.8)V,PNP型硅管为-(0.6~0.8)V;NPN型锗管为+(0.2~0.4)V,PNP型锗管为-(0.2~0.4)V。
三极管放大状态时,基极电位为三个极电位中的中间数值,因此可以确定9.8V为基极B。与基极相差0.7V或0.2V的极为发射极,可以确定10V为发射极E。基极相差0.2V,所以是锗管,那么6V为集电极C。再根据各极电位确定电流方向为由发射极流向基极,可确定为PNP锗管。

- 1 【单选题】晶体三极管放大电路如图所示,在进人电容之后:
- A 、放大倍数变小
- B 、输人电阻变大
- C 、输人电阻变小,放大倍数变大
- D 、输人电阻变大,输出电阻变小,放大倍数变大
- 2 【单选题】图a)所示的电路中,运算放大器输出电压的极限值为,当输入电压时,输出电压波形如图b)所示,如果将从1V调至1.5V,将会使输出电压的()。
- A 、频率发生改变
- B 、幅度发生改变
- C 、平均值升高
- D 、平均似降低
- 3 【单选题】图示电路中,设D为理想二极管,输入电压按正弦规律变化,则在输入电压的负半周,输出电压:()。
- A 、
- B 、
- C 、
- D 、
- 4 【单选题】在铜锌原电池中,将铜电极的则铜电极的电极电势:()。
- A 、变大
- B 、变小
- C 、无变化
- D 、无法确定
- 5 【单选题】图(a) 所示电路中,运算放大器输出电压的极限值。当输入电压ui1=1V,时, 输出电压波形如图(b) 所示,那么,如果将ui1从1V调至1 .5V,将会使输出电压的()。
- A 、频率发生改变
- B 、幅度发生改变
- C 、平均值升高
- D 、平均值降低
- 6 【单选题】图示为共发射极单管电压放大电路,估算静态点、分别为()。
- A 、57μA,2.8mA,3. 5V
- B 、57μA,2.8mA,8V
- C 、57μA,4mA,0V
- D 、30μA,2.8mA,3. 5V
- 7 【单选题】晶体三极管放大电路如图所示,在进人电容之后()。
- A 、放大倍数变小
- B 、输入电阻变大
- C 、输入电阻变小,放大倍数变大
- D 、输入电阻变大,输出电阻变小,放大倍数变大
- 8 【单选题】图示为共发射极单管电压放大电路,估算静态点分别为:
- A 、57μA,2.8mA,3.5V
- B 、57μA,2.8mA,8V
- C 、57μA,4mA,0V
- D 、30μA,2.8mA,3.5V
- 9 【单选题】在某放大电路中,测得三极管各电极对地的电压分别为6V/9.8V/10V ,由此可判断该三极管为()。
- A 、NPN硅管
- B 、NPN锗管
- C 、PNP硅管
- D 、PNP锗管
- 10 【单选题】三极管三个电极的静态电流分别为0.06mA、3.66mA、3.6mA,则该管的β为()。
- A 、60
- B 、61
- C 、100
- D 、50
热门试题换一换
- 下列四种说法正确的有( )。
- 图示电路中,电压U=()。
- 数字签名是最普遍、技术最成熟、可操作性最强的一种电子签名技术,当前已得到实际应用的是在: ()
- 图示矩形 截面,m-m线以上部分和以下部分对形心轴z的两个静矩:
- 下列各组元素中, 其性质的相似是由镧系收缩引起的是:
- 在双缝干涉实验中,光的波长600m,双缝间距2mm,双缝与屏的间距为300cm,则屏上形成的干涉图样的相邻明条纹间距为()。
- 一个典型的计算机网络系统主要是由()。
- 简单电路如图所示,已知晶闸管β= 100 ,=1kΩ,耦合对交流信号视为短路,求电路的电压放大倍数为( )。
- 两台相同变压器,其额定功率为20MVA ,负荷功率为18MVA ,在输电电路中并列运行,每台变压器空载损耗22kW ,短路损耗135kW ,两台变压器总有功损耗为( )。
- 中性点接地系统中,三相电压互感器二次侧开口三角形绕组的额定电压应等于()。

亿题库—让考试变得更简单
已有600万用户下载
